Obtaining SiC single crystals, and comparing characteristics of its solid solutions, films, Schottky diodes
The main methods for producing 4H-SiC single crystals and films of its solid solutions are considered. A new technique for producing single crystals of SiC polytypes is described. A new nonlinear model of the Schottky barrier height (BS) has been developed, and the current-voltage characteristics of...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Статья |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
IOP Publishing Ltd
2020
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/14301 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|