Անցեք բովանդակությանը
Obtaining SiC single crystals, and comparing characteristics of its solid solutions, films, Schottky diodes

Obtaining SiC single crystals, and comparing characteristics of its solid solutions, films, Schottky diodes

The main methods for producing 4H-SiC single crystals and films of its solid solutions are considered. A new technique for producing single crystals of SiC polytypes is described. A new nonlinear model of the Schottky barrier height (BS) has been developed, and the current-voltage characteristics of...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Altukhov, V. I., Алтухов, В. И., Sysoev, D. K., Сысоев, Д. К.
Ձևաչափ: Статья
Լեզու:English
Հրապարակվել է: IOP Publishing Ltd 2020
Խորագրեր:
Schottky diodes
Obtaining single crystals
Solid solutions
Single crystals of SiC
Առցանց հասանելիություն:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/14301
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/14301

Նմանատիպ նյութեր