Obtaining SiC single crystals, and comparing characteristics of its solid solutions, films, Schottky diodes
The main methods for producing 4H-SiC single crystals and films of its solid solutions are considered. A new technique for producing single crystals of SiC polytypes is described. A new nonlinear model of the Schottky barrier height (BS) has been developed, and the current-voltage characteristics of...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , |
|---|---|
| Format: | Статья |
| Język: | English |
| Wydane: |
IOP Publishing Ltd
2020
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/14301 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|