Obtaining SiC single crystals, and comparing characteristics of its solid solutions, films, Schottky diodes
The main methods for producing 4H-SiC single crystals and films of its solid solutions are considered. A new technique for producing single crystals of SiC polytypes is described. A new nonlinear model of the Schottky barrier height (BS) has been developed, and the current-voltage characteristics of...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Статья |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
IOP Publishing Ltd
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/14301 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|