Photo-, cathodic- And electroluminescence-band models in solid (SiC)1-x(AIN)xluminescence centers and SiC/SiC-AIN LEDs
The paper presents models of bands (levels) in solid (SiC)1-x(AlN)x luminescence centers and n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x heterostructures (light-emitting diodes). The diagram of (SiC)1-x(AlN)x energy gaps shows the positions of luminescence levels, subject to x. A SiC/SiC-AlN series of electroluminescenc...
שמור ב:
| Главные авторы: | , , , |
|---|---|
| פורמט: | Статья |
| שפה: | English |
| יצא לאור: |
IOP Publishing Ltd
2021
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/15488 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|