Photo-, cathodic- And electroluminescence-band models in solid (SiC)1-x(AIN)xluminescence centers and SiC/SiC-AIN LEDs
The paper presents models of bands (levels) in solid (SiC)1-x(AlN)x luminescence centers and n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x heterostructures (light-emitting diodes). The diagram of (SiC)1-x(AlN)x energy gaps shows the positions of luminescence levels, subject to x. A SiC/SiC-AlN series of electroluminescenc...
Сохранить в:
| Главные авторы: | , , , |
|---|---|
| Формат: | Статья |
| Язык: | English |
| Опубликовано: |
IOP Publishing Ltd
2021
|
| Темы: | |
| Online-ссылка: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/15488 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|