Chuyển đến nội dung

THE GROWTH OF INALN/ SI HETEROSTRUCTURES WITH A HIGH CONTENT OF IN

InAlN films on Si (111) were obtained by the ion-beam deposition with various technological growth parameters. The results of the study of grown films by the scanning electron microscopy were used to identify the conditions for obtaining InAlN continuous films. Due to the mismatch of the lattice par...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Lapin, V. A., Лапин, В. А., Kasyanov, I. V., Касьянов, И. В.
Định dạng: Статья
Ngôn ngữ:Russian
Được phát hành: 2023
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/23455
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!