Исследование рельефа поверхности полупроводниковой hemt-структуры методом атомно-силовой микроскопии практикум
В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизич...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | , |
| التنسيق: | Книга |
| اللغة: | Russian |
| منشور في: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2014
|
| الوصول للمادة أونلاين: | https://e.lanbook.com/book/152815 https://e.lanbook.com/img/cover/book/152815.jpg |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| الملخص: | В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизического факультета ННГУ в качестве пособия при подготовке и проведении лабораторных работ по специализированному курсу «Сканирующая зондовая микроскопия». |
|---|---|
| وصف المادة: | Рекомендовано методической комиссией радиофизического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 011800 «Радиофизика и электроника» 010400 «Информационные технологии» 654700 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем» |
| وصف مادي: | 17 с. |
| جمهور: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика |
| بيبلوغرافيا: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |