Исследование рельефа поверхности полупроводниковой hemt-структуры методом атомно-силовой микроскопии практикум
В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизич...
Guardat en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Altres autors: | , |
| Format: | Книга |
| Idioma: | Russian |
| Publicat: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2014
|
| Accés en línia: | https://e.lanbook.com/book/152815 https://e.lanbook.com/img/cover/book/152815.jpg |
| Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|
| Sumari: | В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизического факультета ННГУ в качестве пособия при подготовке и проведении лабораторных работ по специализированному курсу «Сканирующая зондовая микроскопия». |
|---|---|
| Descripció de l’ítem: | Рекомендовано методической комиссией радиофизического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 011800 «Радиофизика и электроника» 010400 «Информационные технологии» 654700 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем» |
| Descripció física: | 17 с. |
| Destinataris: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика |
| Bibliografia: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |