Joan edukira

Исследование рельефа поверхности полупроводниковой hemt-структуры методом атомно-силовой микроскопии практикум

В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизич...

Deskribapen osoa

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia: Волкова Е. В.
Beste egile batzuk: Забавичев И. Ю., Оболенский С. В.
Formatua: Книга
Hizkuntza:Russian
Argitaratua: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2014
Sarrera elektronikoa:https://e.lanbook.com/book/152815
https://e.lanbook.com/img/cover/book/152815.jpg
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
Deskribapena
Gaia:В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизического факультета ННГУ в качестве пособия при подготовке и проведении лабораторных работ по специализированному курсу «Сканирующая зондовая микроскопия».
Alearen deskribapena:Рекомендовано методической комиссией радиофизического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 011800 «Радиофизика и электроника» 010400 «Информационные технологии» 654700 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем»
Deskribapen fisikoa:17 с.
Hartzaileak:Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика
Bibliografia:Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань