Léim chuig an ábhar

Исследование рельефа поверхности полупроводниковой hemt-структуры методом атомно-силовой микроскопии практикум

В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизич...

Cur síos iomlán

Sábháilte in:
Sonraí bibleagrafaíochta
Príomhchruthaitheoir: Волкова Е. В.
Rannpháirtithe: Забавичев И. Ю., Оболенский С. В.
Formáid: Книга
Teanga:Russian
Foilsithe / Cruthaithe: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2014
Rochtain ar líne:https://e.lanbook.com/book/152815
https://e.lanbook.com/img/cover/book/152815.jpg
Clibeanna: Cuir clib leis
Níl clibeanna ann, Bí ar an gcéad duine le clib a chur leis an taifead seo!
Cur síos
Achoimre:В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизического факультета ННГУ в качестве пособия при подготовке и проведении лабораторных работ по специализированному курсу «Сканирующая зондовая микроскопия».
Cur síos ar an mír:Рекомендовано методической комиссией радиофизического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 011800 «Радиофизика и электроника» 010400 «Информационные технологии» 654700 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем»
Cur síos fisiciúil:17 с.
Sprioclucht léitheoireachta:Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика
Leabharliosta:Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань