Исследование рельефа поверхности полупроводниковой hemt-структуры методом атомно-силовой микроскопии практикум
В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизич...
Gardado en:
| Autor Principal: | |
|---|---|
| Outros autores: | , |
| Formato: | Книга |
| Idioma: | Russian |
| Publicado: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2014
|
| Acceso en liña: | https://e.lanbook.com/book/152815 https://e.lanbook.com/img/cover/book/152815.jpg |
| Метки: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
| Краткое описание: | В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизического факультета ННГУ в качестве пособия при подготовке и проведении лабораторных работ по специализированному курсу «Сканирующая зондовая микроскопия». |
|---|---|
| descrición da copia: | Рекомендовано методической комиссией радиофизического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 011800 «Радиофизика и электроника» 010400 «Информационные технологии» 654700 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем» |
| Descrición Física: | 17 с. |
| Público: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика |
| Bibliografía: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |