Исследование рельефа поверхности полупроводниковой hemt-структуры методом атомно-силовой микроскопии практикум
В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизич...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| מחברים אחרים: | , |
| פורמט: | Книга |
| שפה: | Russian |
| יצא לאור: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2014
|
| גישה מקוונת: | https://e.lanbook.com/book/152815 https://e.lanbook.com/img/cover/book/152815.jpg |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| סיכום: | В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизического факультета ННГУ в качестве пособия при подготовке и проведении лабораторных работ по специализированному курсу «Сканирующая зондовая микроскопия». |
|---|---|
| תאור פריט: | Рекомендовано методической комиссией радиофизического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 011800 «Радиофизика и электроника» 010400 «Информационные технологии» 654700 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем» |
| תיאור פיזי: | 17 с. |
| קהל: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика |
| ביבליוגרפיה: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |