Исследование рельефа поверхности полупроводниковой hemt-структуры методом атомно-силовой микроскопии практикум
В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизич...
保存先:
| 第一著者: | |
|---|---|
| その他の著者: | , |
| フォーマット: | Книга |
| 言語: | Russian |
| 出版事項: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2014
|
| オンライン･アクセス: | https://e.lanbook.com/book/152815 https://e.lanbook.com/img/cover/book/152815.jpg |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
| 要約: | В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизического факультета ННГУ в качестве пособия при подготовке и проведении лабораторных работ по специализированному курсу «Сканирующая зондовая микроскопия». |
|---|---|
| 記述事項: | Рекомендовано методической комиссией радиофизического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 011800 «Радиофизика и электроника» 010400 «Информационные технологии» 654700 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем» |
| 物理的記述: | 17 с. |
| Audience: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика |
| 書誌: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |