Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Книга |
| اللغة: | Russian |
| منشور في: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| الوصول للمادة أونلاين: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| الملخص: | В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов. |
|---|---|
| وصف المادة: | Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике» |
| وصف مادي: | 16 с. |
| جمهور: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки |
| بيبلوغرافيا: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |