Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Книга |
| Lenguaje: | Russian |
| Publicado: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| Acceso en línea: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| Etiquetas: |
Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
| Sumario: | В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов. |
|---|---|
| Notas: | Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике» |
| Descripción Física: | 16 с. |
| Público: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки |
| Bibliografía: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |