Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Sábháilte in:
| Príomhchruthaitheoir: | |
|---|---|
| Rannpháirtithe: | |
| Formáid: | Книга |
| Teanga: | Russian |
| Foilsithe / Cruthaithe: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| Rochtain ar líne: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| Clibeanna: |
Cuir clib leis
Níl clibeanna ann, Bí ar an gcéad duine le clib a chur leis an taifead seo!
|
| Achoimre: | В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов. |
|---|---|
| Cur síos ar an mír: | Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике» |
| Cur síos fisiciúil: | 16 с. |
| Sprioclucht léitheoireachta: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки |
| Leabharliosta: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |