Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Այլ հեղինակներ: | |
| Ձևաչափ: | Книга |
| Լեզու: | Russian |
| Հրապարակվել է: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| Առցանց հասանելիություն: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
| Ամփոփում: | В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов. |
|---|---|
| Նյութի նկարագրություն: | Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике» |
| Ֆիզիկական նկարագրություն: | 16 с. |
| Լսարան: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки |
| Մատենագիտություն: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |