Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Книга |
| Lingua: | Russian |
| Pubblicazione: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| Accesso online: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
| Riassunto: | В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов. |
|---|---|
| Descrizione del documento: | Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике» |
| Descrizione fisica: | 16 с. |
| Pubblico: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки |
| Bibliografia: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |