Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
保存先:
| 第一著者: | |
|---|---|
| その他の著者: | |
| フォーマット: | Книга |
| 言語: | Russian |
| 出版事項: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| オンライン･アクセス: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
| 要約: | В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов. |
|---|---|
| 記述事項: | Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике» |
| 物理的記述: | 16 с. |
| Audience: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки |
| 書誌: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |