Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Zapisane w:
| 1. autor: | |
|---|---|
| Kolejni autorzy: | |
| Format: | Книга |
| Język: | Russian |
| Wydane: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| Dostęp online: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
| Streszczenie: | В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов. |
|---|---|
| Deskrypcja: | Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике» |
| Opis fizyczny: | 16 с. |
| Publiczność: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки |
| Bibliografia: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |