Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Інші автори: | |
| Формат: | Книга |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| Онлайн доступ: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Резюме: | В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов. |
|---|---|
| Опис примірника: | Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике» |
| Фізичний опис: | 16 с. |
| Аудиторія: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки |
| Бібліографія: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |