Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Сохранить в:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 其他作者: | |
| 格式: | Книга |
| 語言: | Russian |
| 出版: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| 在線閱讀: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| 總結: | В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов. |
|---|---|
| Item Description: | Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике» |
| 實物描述: | 16 с. |
| 讀者: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки |
| 參考書目: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |