Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Guardat en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Altres autors: | |
| Format: | Книга |
| Idioma: | Russian |
| Publicat: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| Accés en línia: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|