Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Книга |
| Idioma: | Russian |
| Publicado em: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| Acesso em linha: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| Tags: |
Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|