Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|