Пропуск в контексте

Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум

В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...

Fuld beskrivelse

Сохранить в:
Bibliografiske detaljer
Hovedforfatter: Волкова Н. С.
Andre forfattere: Горшков А. П.
Format: Книга
Sprog:Russian
Udgivet: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2022
Online adgang:https://e.lanbook.com/book/344882
https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg
Tags: Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!