Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум
В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Книга |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2022
|
| Online Zugang: | https://e.lanbook.com/book/344882 https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|