Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум
В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...
Gardado en:
| Autor Principal: | |
|---|---|
| Outros autores: | |
| Formato: | Книга |
| Idioma: | Russian |
| Publicado: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2022
|
| Acceso en liña: | https://e.lanbook.com/book/344882 https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg |
| Метки: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|