Пропуск в контексте

Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум

В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Волкова Н. С.
מחברים אחרים: Горшков А. П.
פורמט: Книга
שפה:Russian
יצא לאור: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2022
גישה מקוונת:https://e.lanbook.com/book/344882
https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!