इसे छोड़कर सामग्री पर बढ़ने के लिए

Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум

В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...

पूर्ण विवरण

में बचाया:
ग्रंथसूची विवरण
मुख्य लेखक: Волкова Н. С.
अन्य लेखक: Горшков А. П.
स्वरूप: Книга
भाषा:Russian
प्रकाशित: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2022
ऑनलाइन पहुंच:https://e.lanbook.com/book/344882
https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg
टैग : टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!