Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум
В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...
保存先:
| 第一著者: | |
|---|---|
| その他の著者: | |
| フォーマット: | Книга |
| 言語: | Russian |
| 出版事項: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2022
|
| オンライン･アクセス: | https://e.lanbook.com/book/344882 https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|