Przejdź do treści

Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум

В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Волкова Н. С.
Kolejni autorzy: Горшков А. П.
Format: Книга
Język:Russian
Wydane: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2022
Dostęp online:https://e.lanbook.com/book/344882
https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!