Pular para o conteúdo

Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум

В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...

ver descrição completa

Na minha lista:
Detalhes bibliográficos
Autor principal: Волкова Н. С.
Outros Autores: Горшков А. П.
Formato: Книга
Idioma:Russian
Publicado em: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2022
Acesso em linha:https://e.lanbook.com/book/344882
https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg
Tags: Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!