Пропуск в контексте

Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум

В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Волкова Н. С.
Другие авторы: Горшков А. П.
Формат: Книга
Язык:Russian
Опубликовано: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2022
Online-ссылка:https://e.lanbook.com/book/344882
https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!