Пропуск в контексте

Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум

В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...

Popoln opis

Shranjeno v:
Bibliografske podrobnosti
Glavni avtor: Волкова Н. С.
Drugi avtorji: Горшков А. П.
Format: Книга
Jezik:Russian
Izdano: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2022
Online dostop:https://e.lanbook.com/book/344882
https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg
Oznake: Označite
Brez oznak, prvi označite!