Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум
В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Інші автори: | |
| Формат: | Книга |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2022
|
| Онлайн доступ: | https://e.lanbook.com/book/344882 https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|